IBMとサムスン電子は12月14日、新しい垂直型トランジスター・アーキテクチャーを利用した半導体設計で、飛躍的に進歩したと共同発表した。別の新技術であるFin Field-Effect Transistor（finFET）と比べても、電力消費量を85%削減できる可能性があり、1週間以上充電がもつ携帯電話バッテリーの実現にもつながるという。
半導体の性能向上では、…
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